Kínai mobilokba jöhet az új LLW DRAM technológia

Kínai okostelefon-gyártók egyedi, alacsony késleltetésű LLW memórián dolgoznak, amely az LPDDR korlátait áttörve 2027-ben debütálhat.

Pletykák szerint a kínai okostelefon-márkák egyedi fejlesztésű Low Latency Wide DRAM (LLW) technológiát alkalmazhatnak, amely a High Bandwidth Memory (HBM) megoldáshoz hasonló integrált kialakítást kap. Az új memória célja az LPDDR RAM teljesítménybeli szűk keresztmetszeteinek felszámolása: az LLW a várakozások szerint másfélszeres teljesítményt nyújt feleakkora energiafogyasztás mellett. Egy Weibo-szivárogtató szerint 2026-ban még kevés az esély a gyorsabb memória bevezetésére, a technológia inkább 2027 második felében érkezhet meg. Eközben a Huawei saját HBM DRAM-on dolgozik, a Samsung komplex csomagolással vinné az HBM-et a mobilokba, az Apple pedig az iPhone 20-nál vetné be a technológiát. A Qualcomm kínai gyártókkal együttműködve 3D DRAM-ot fejleszthet az NPU-k számára.

AMD: AI-startuppal bővül az adatközponti üzletág

Megjelent az MLPerf Training 6.0 benchmark

Intel 18A-P: Jelentős előrelépés a gyártástechnológiában

Érkezik az AMD FSR 4.1 az idősebb Radeonokra is

MSI MPG 271KRAW18: 5K Mini LED monitor érkezik

Megvenné a Qualcomm Jim Keller AI-startupját

Kioxia Exceria G3: PCIe 5.0 SSD-k érkeznek

Tensordyne: Forradalmi AI-chip logaritmikus alapon

Képeken az Intel törölt Arctic Sound 2T GPU-ja

AMD: Visszatérnek a Picasso APU-k 2026-ban

Intel processzorok NVIDIA grafikával érkezhetnek

AMD Ryzen 200: Több játékot futtat, mint a MacBook

Kiderült az MSI Claw EX AI+ ára: 1699 dollár

Brutálisat drágult az NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell

Rekordot döntött az NVIDIA Blackwell GB300 chipje

Gyorsabb betöltés: jön az Advanced Shader Delivery

AOC Agon Pro AGP497UCZD: 49 colos QD-OLED csúcsmonitor

Bemutatták a Siri AI-t: íme a támogatott eszközök

Nőtt a félvezetőgyártók bevétele az első negyedévben

AMD Ryzen AI Halo: Előrendelhető az új mini PC