SK Hynix: jön a 375 rétegű NAND Flash gyártása
Az SK Hynix 2026 végén kezdi meg a 375 rétegű NAND megoldások tömeggyártását, miközben a Samsung már az 1000 réteget célozza meg.
Az SK Hynix befejezte a belsőleg 400 rétegűnek nevezett, valójában 375 rétegű NAND Flash megoldásának hitelesítését, a tömeggyártás pedig várhatóan 2026 végén indul a meglévő, jelenleg 321 rétegű V9 termékeket előállító gyárakban. A vállalat már dolgozik a 480 és 604 rétegű utódokon is, amelyeknél a volfrámot molibdénre cserélik a kedvezőbb ellenállás miatt. A Samsung, amely már használja a molibdént, 2026-ban optimalizálja folyamatait az első 400 rétegű V-NAND termékeivel, és jelentős mennyiségű alapanyagot kötött le: a 2025-ös 4 tonna után 2026-ban már 10 tonnát vásárolt. Az iparági adatok szerint az SK Hynix körülbelül 4 tonna molibdént használhat fel, miközben a globális kereslet a 2027-es 25 tonnáról 2030-ra várhatóan 80 tonnára emelkedik a rétegszám növekedésével.