A NEO Semiconductor 2026. augusztus 5-én elindította a NEO.AI memóriaplatformot, amely az on-chip memória és a HBM kapacitásbeli korlátait hivatott orvosolni. A vállalat bemutatta az X-SRAM technológiát, valamint friss információkat közölt a 3D X-DRAM fejlesztéséről.
Az egységes architektúra részeként az X-SRAM a hagyományos SRAM-nál ötször nagyobb sűrűséget kínál, és kompatibilis a nanosheet CMOS eljárásokkal. A 3D X-DRAM a 3D NAND gyártási folyamatokat használja, és a DRAM-nál tízszer nagyobb kapacitást biztosít a chipeken.
Andy Hsu vezérigazgató mellett Stan Shih, az Acer alapítója és a TSMC korábbi igazgatósági tagja is segíti a céget. A 3D X-DRAM koncepciója már sikeres validáción esett át, ami áttörést hozhat a nagy kapacitású HBM technológiák és a mesterséges intelligencia terén.