SK Hynix: Megérkeztek az első HBM4E memóriaminták

A dél-koreai SK Hynix leszállította az első 48 GB-os HBM4E mintákat, amelyek 4 TB/s sávszélességet és javuló hatékonyságot ígérnek.

Az SK Hynix bejelentette a 12 rétegű DRAM-ot tartalmazó HBM4E memóriaminták szállítását, amelyek tűnként 16 GBit/s átviteli sebességet és 4 TB/s sávszélességet biztosítanak. Az új generáció 20 százalékkal hatékonyabb a HBM4-nél, a termikus ellenállása pedig 17 százalékkal alacsonyabb. A gyártáshoz MR-MUF technológiát használnak, amely során a mikro-dudorokat egyszerre hevítik és forrasztják, a réseket pedig epoxival töltik ki. Míg a sima HBM4 az AMD Instinct MI400 és az NVIDIA Vera Rubin platformokban kaphat helyet, a HBM4E a Vera Rubin Ultra generációt célozza. Tizenhat ilyen chip összesen 768 GB kapacitást és 64 TB/s sávszélességet nyújt az AI-gyorsítóknak. A jövőbeli alaplapkák gyártását nagyrészt a TSMC végzi, a memóriavezérlő pedig közvetlenül az alaplapkába költözik a testreszabott HBM-megoldásoknál.