A Kioxia és partnere, a Sandisk bemutatta a BiCS9 QLC NAND technológiát, amely 2 Tbit kapacitást kínál lapkánként. A 230 rétegű 3D-NAND memória CMOS directly Bonded to Array (CBA) technológiát használ, a minták szállítása pedig 2026 júliusában vette kezdetét.
A fogyasztói piacra szánt BiCS9 generáció 4,8 Gbit/s interfészsebességet ér el, ami 33 százalékos javulás a BiCS8 3,6 Gbit/s értékéhez képest. A 4 bites cellánkénti tárolást alkalmazó QLC változat 6-plane architektúrával és 2 Tbit sűrűséggel rendelkezik.
A fejlesztés a BiCS8 memóriacelláit ötvözi a szerverekbe szánt, 332 rétegű BiCS10 I/O megoldásaival. Míg a BiCS9 a lakossági szegmenst célozza, a BiCS10 QLC már 37,6 Gbit/mm² adatsűrűséget biztosít, jelentősen növelve az adatközpontok tárolási hatékonyságát.